項(xiàng)目背景:

氮化鋁（AlN）單晶材料在短波長(zhǎng)光電子器件及新型電子器件方面有巨大的應(yīng)用前景，大尺寸AlN單晶材料制備關(guān)鍵技術(shù)是當(dāng)前亟待解決的重大科學(xué)問(wèn)題。

探索在高溫高壓條件下用物理氣相傳輸法制備大尺寸AlN單晶的工藝條件和技術(shù)，

積極優(yōu)化和改進(jìn)晶體生長(zhǎng)設(shè)備，通過(guò)大量的實(shí)驗(yàn)和理論研究逐步了解AlN單晶的生長(zhǎng)規(guī)律，掌握制備大尺寸AlN單晶材料的關(guān)鍵技術(shù)，制備出2英寸以上的AlN單晶。

本項(xiàng)目的研究成果極大地提升氮化物半導(dǎo)體方面的原始創(chuàng)新能力和整體研究水平，增強(qiáng)國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)力。

我司的工作任務(wù)：

配合課題專家完成設(shè)備的軟控系統(tǒng)開發(fā)定制

技術(shù)亮點(diǎn):