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碳化硅SiC外延

碳化硅(SiC)是第三代半導(dǎo)體材料的核心。 相較于前兩代材料,碳化硅具有耐高壓、耐高溫、低損耗等優(yōu)越性能,具有較高的導(dǎo)熱率、熔點(diǎn)等。 基于碳化硅材料的半導(dǎo)體器件可應(yīng)用于汽車、充電設(shè)備、便攜式電源、通信設(shè)備、機(jī)械臂、飛行器等多個(gè)工業(yè)領(lǐng)域。 碳化硅材料的特性決定了它將會(huì)逐步取代傳統(tǒng)硅基,打開巨大的市場空間。

項(xiàng)目背景:

碳化硅外延設(shè)備

碳化硅外延片是指在碳化硅襯底上生長了一層有一定要求的單晶薄膜(外延層)的碳化硅片

在晶體生長和晶片加工過程中,不可避免地會(huì)在表面或近表面產(chǎn)生缺陷,導(dǎo)致襯底的材料質(zhì)量和表面質(zhì)量下降,直接影響制得器件的性能。

而外延局的生長可以消除許多缺陷,使晶格排列整齊,表面形貌得到改觀。

外延片作為半導(dǎo)體原材料,位于半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈上游,是半導(dǎo)體制造產(chǎn)業(yè)的支撐性行業(yè)。

襯底材料上通過CVD(Chemical Vapor Deposition,化學(xué)氣相沉積)設(shè)備進(jìn)行晶體外延生長、制成外延片。

技術(shù)難點(diǎn):

  1. 熟悉掌握外延工藝

  2. 精準(zhǔn)控溫

  3. 精準(zhǔn)壓力控制

  4. 精準(zhǔn)流量控制

  5. 工藝菜單穩(wěn)定運(yùn)行



逸維產(chǎn)品包括半導(dǎo)體、汽車新能源、生物醫(yī)藥、環(huán)保與3C生產(chǎn)線控制系統(tǒng)。

標(biāo)準(zhǔn)定制

逸維產(chǎn)品包括半導(dǎo)體、汽車新能源、生物醫(yī)藥、環(huán)保與3C生產(chǎn)線控制系統(tǒng)。

標(biāo)準(zhǔn)定制

逸維產(chǎn)品包括半導(dǎo)體、汽車新能源、生物醫(yī)藥、環(huán)保與3C生產(chǎn)線控制系統(tǒng)。

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