項(xiàng)目背景：
碳化硅外延設(shè)備
碳化硅外延片是指在碳化硅襯底上生長(zhǎng)了一層有一定要求的單晶薄膜（外延層）的碳化硅片
在晶體生長(zhǎng)和晶片加工過(guò)程中，不可避免地會(huì)在表面或近表面產(chǎn)生缺陷，導(dǎo)致襯底的材料質(zhì)量和表面質(zhì)量下降，直接影響制得器件的性能。
而外延局的生長(zhǎng)可以消除許多缺陷，使晶格排列整齊，表面形貌得到改觀。
外延片作為半導(dǎo)體原材料，位于半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈上游，是半導(dǎo)體制造產(chǎn)業(yè)的支撐性行業(yè)。
襯底材料上通過(guò)CVD（Chemical Vapor Deposition，化學(xué)氣相沉積）設(shè)備進(jìn)行晶體外延生長(zhǎng)、制成外延片。
技術(shù)難點(diǎn):
熟悉掌握外延工藝
精準(zhǔn)控溫
精準(zhǔn)壓力控制
精準(zhǔn)流量控制
工藝菜單穩(wěn)定運(yùn)行
